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    昨日（1月4日），三星電子公司擬在中國(guó)大陸投資建閃存芯片廠的計(jì)劃，正式獲得韓國(guó)知識(shí)經(jīng)濟(jì)部批準(zhǔn)。

韓國(guó)知識(shí)經(jīng)濟(jì)部在聲明中稱，三星公司擬在中國(guó)建的閃存芯片工廠投產(chǎn)后，每月生產(chǎn)10萬(wàn)塊晶圓片，聲明中沒有提及投資規(guī)模，也沒有透露擬建新工廠的具體選址。

三星中國(guó)相關(guān)負(fù)責(zé)人向 《每日經(jīng)濟(jì)新聞》記者表示，由于尚未收到總公司通告，因此暫時(shí)無(wú)法公布方案細(xì)節(jié)。

該計(jì)劃仍需獲得中國(guó)商務(wù)部門的審批，方能開工建設(shè)。

投資超過35億美元

2011年12月3日，三星電子曾發(fā)布公告稱，該公司計(jì)劃使用20納米級(jí)以下的技術(shù)，為三星產(chǎn)品生產(chǎn)Nand閃存芯片，并向增長(zhǎng)迅速的中國(guó)手機(jī)制造商供貨，力爭(zhēng)在明年開工建設(shè)，并于2013年正式投產(chǎn)。禮品U盤定做

有分析師估計(jì)，在華設(shè)廠的總投資將介于35億美元至50億美元之間。目前，三星尚未透露該工廠的具體建設(shè)地點(diǎn)。一位不愿具名的業(yè)內(nèi)分析人士向《每日經(jīng)濟(jì)新聞》記者指出，目前最有可能成功中標(biāo)的城市是北京和蘇州。

據(jù)了解，閃存芯片是一種移動(dòng)存儲(chǔ)產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于音樂播放器、智能手機(jī)和平板電腦中。三星公司計(jì)劃在中國(guó)生產(chǎn)的Nand型閃存芯片，將主要用于固態(tài)硬盤和大容量數(shù)碼存儲(chǔ)卡。因擔(dān)心技術(shù)轉(zhuǎn)讓問題，該公司過去一直未在韓國(guó)和美國(guó)以外地區(qū)建立高科技的生產(chǎn)廠。事實(shí)上，為了防范技術(shù)機(jī)密泄露，韓國(guó)知識(shí)經(jīng)濟(jì)部要求三星公司加強(qiáng)對(duì)技術(shù)資料的控制。U盤定做

對(duì)國(guó)內(nèi)企業(yè)未必是好事

目前，中國(guó)生產(chǎn)全球96%的平板電腦和37%以上的智能手機(jī)，因此這些產(chǎn)品的核心零配件——內(nèi)存芯片的使用量也在年年劇增。

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        據(jù)市場(chǎng)調(diào)查公司Gartner的數(shù)據(jù)，今年全球閃存芯片市場(chǎng)有望突破290億美元，而今年中國(guó)的芯片使用量達(dá)到全球產(chǎn)量的30%，成為世界最大的芯片消費(fèi)國(guó)，預(yù)計(jì)今年這一市場(chǎng)的規(guī)模將達(dá)290億美元。

iSuppli分析師顧文君向 《每日經(jīng)濟(jì)新聞》記者表示，三星將芯片廠址選在中國(guó)，主要基于以下三個(gè)原因：首先，中國(guó)是該類產(chǎn)品目前最大的消耗市場(chǎng)，發(fā)展前景廣闊；其次，閃存芯片是一種標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品，選址靠近終端廠商將為生產(chǎn)提供便利；同時(shí)，此類產(chǎn)品的生產(chǎn)對(duì)基礎(chǔ)設(shè)施、政策和產(chǎn)業(yè)環(huán)境要求較高，在國(guó)內(nèi)設(shè)廠，選址城市將會(huì)為三星提供部分政策支持。

據(jù)了解，目前全球市場(chǎng)上主流的智能手機(jī)芯片廠商有：高通、德州儀器、三星、英偉達(dá)等；國(guó)產(chǎn)則有MTK，主要應(yīng)用于中低端市場(chǎng)。

“事實(shí)上，三星將芯片廠設(shè)在中國(guó)，對(duì)國(guó)內(nèi)企業(yè)來(lái)說(shuō)，未必是件好事。目前三星的閃存芯片約占國(guó)內(nèi)30%的市場(chǎng)份額，直接在中國(guó)生產(chǎn)產(chǎn)品必然會(huì)降低其生產(chǎn)成本，并鞏固其在中國(guó)市場(chǎng)的霸主地位，行業(yè)集中度會(huì)繼續(xù)加強(qiáng)，這樣的話，國(guó)內(nèi)企業(yè)的議價(jià)能力也會(huì)有所減弱。”顧文君說(shuō)。

此前，臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀說(shuō)過，三星是個(gè)可怕的公司、可畏的對(duì)手。華碩董事長(zhǎng)施崇棠也稱，三星擅長(zhǎng)“模仿別人，再把對(duì)方宰掉。”

    目前主板上的BIOS大多使用Flash Memory制造，翻譯成中文就是"閃動(dòng)的存儲(chǔ)器"，通常把它稱作"快閃存儲(chǔ)器"，簡(jiǎn)稱"閃存"。 閃存盤是一種移動(dòng)存儲(chǔ)產(chǎn)品，可用于存儲(chǔ)任何格式數(shù)據(jù)文件便于隨身攜帶，是個(gè)人的“數(shù)據(jù)移動(dòng)中心”。 閃存盤采用閃存存儲(chǔ)介質(zhì)（Flash Memory）和通用串行總線（USB）接口，具有輕巧精致、使用方便、便于攜帶、容量較大、安全可靠、時(shí)尚潮流等特征，是大家理想的便攜存儲(chǔ)工具.
     內(nèi)存和NOR型閃存的基本存儲(chǔ)單元是bit，用戶可以隨機(jī)訪問任何一個(gè)bit的信息。而NAND型閃存的基本存儲(chǔ)單元是頁(yè)(Page)(可以看到，NAND型閃存的頁(yè)就類似硬盤的扇區(qū)，硬盤的一個(gè)扇區(qū)也為512字節(jié))。每一頁(yè)的有效容量是512字節(jié)的倍數(shù)。所謂的有效容量是指用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的部分，實(shí)際上還要加上16字節(jié)的校驗(yàn)信息，因此我們可以在閃存廠商的技術(shù)資料當(dāng)中看到“(512+16)Byte”的表示方式。目前2Gb以下容量的NAND型閃存絕大多數(shù)是(512+16)字節(jié)的頁(yè)面容量，2Gb以上容量的NAND型閃存則將頁(yè)容量擴(kuò)大到(2048+64)字節(jié)。
      制造工藝可以影響晶體管的密度，也對(duì)一些操作的時(shí)間有影響。譬如前面提到的寫穩(wěn)定和讀穩(wěn)定時(shí)間，它們?cè)谖覀兊挠?jì)算當(dāng)中占去了時(shí)間的重要部分，尤其是寫入時(shí)。如果能夠降低這些時(shí)間，就可以進(jìn)一步提高性能。90nm的制造工藝能夠改進(jìn)性能嗎？答案恐怕是否！目前的實(shí)際情況是，隨著存儲(chǔ)密度的提高，需要的讀、寫穩(wěn)定時(shí)間是呈現(xiàn)上升趨勢(shì)的。前面的計(jì)算所舉的例子中就體現(xiàn)了這種趨勢(shì)，否則4Gb芯片的性能提升更加明顯。 以上資訊由深圳U盤工廠、禮品U盤、正益通電子U盤生產(chǎn)廠家提供